JAN1N5811US Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF
Qualification: MIL-PRF-19500/477
Grade: Military
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, B
Packaging: Bulk
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 530.64 грн |
| 100+ | 474.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN1N5811US Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF, Qualification: MIL-PRF-19500/477, Grade: Military, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Current - Average Rectified (Io): 6A, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SQ-MELF, B, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції JAN1N5811US
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5811US | Microchip / Microsemi |
Rectifiers 150V 3A UFR,FRR SQ SMT |
на замовлення 2479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| JAN1N5811US |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
Rectifiers 150V 3A UFR,FRR SQ SMT
Rectifiers 150V 3A UFR,FRR SQ SMT
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)