Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > JAN1N5822US
JAN1N5822US

JAN1N5822US Microchip Technology

131998-lds-0303-1.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A
Qualification: MIL-PRF-19500/620
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JAN1N5822US Microchip Technology

Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A, Qualification: MIL-PRF-19500/620.

Інші пропозиції JAN1N5822US

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JAN1N5822US JAN1N5822US Semtech Corporation hYrYg_5ge_Ah_7FHCQWxdQBsGIN_2D4MCwlsQsXO9uA Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Qualification: MIL-PRF-19500/620
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5822US JAN1N5822US Microchip / Microsemi LDS-0303-1,+1N5820US-1N5822US,1N6864US,+MIL-PRF-19500-620.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 40V 3A Small-Signal Schottky SQ THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5822US hYrYg_5ge_Ah_7FHCQWxdQBsGIN_2D4MCwlsQsXO9uA
JAN1N5822US
Виробник: Semtech Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Qualification: MIL-PRF-19500/620
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5822US LDS-0303-1,+1N5820US-1N5822US,1N6864US,+MIL-PRF-19500-620.pdf
JAN1N5822US
Виробник: Microchip / Microsemi
Schottky Diodes & Rectifiers 40V 3A Small-Signal Schottky SQ THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.