JAN1N6168US

JAN1N6168US Microchip Technology


Виробник: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 91.2VWM 173.36V SQMELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, C
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.65A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 91.2V
Supplier Device Package: C, SQ-MELF
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 108.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 173.36V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Military
Part Status: Active
Qualification: MIL-PRF-19500/516
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JAN1N6168US Microchip Technology

Description: TVS DIODE 91.2VWM 173.36V SQMELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, C, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.65A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 91.2V, Supplier Device Package: C, SQ-MELF, Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 108.3V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 173.36V, Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW), Power Line Protection: No, Grade: Military, Part Status: Active, Qualification: MIL-PRF-19500/516.

Інші пропозиції JAN1N6168US

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
JAN1N6168US Виробник : Microsemi LDS-0278-1_r2-1284455.pdf ESD Suppressors / TVS Diodes Transient Voltage Suppressor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.