JAN1N6170US Microchip Technology

Description: TVS DIODE 114VWM 216.62V SQ-MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, C
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.94A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 114V
Supplier Device Package: C, SQ-MELF
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 135.38V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 216.62V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Military
Part Status: Active
Qualification: MIL-PRF-19500/516
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN1N6170US Microchip Technology
Description: TVS DIODE 114VWM 216.62V SQ-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, C, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.94A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 114V, Supplier Device Package: C, SQ-MELF, Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 135.38V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 216.62V, Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW), Power Line Protection: No, Grade: Military, Part Status: Active, Qualification: MIL-PRF-19500/516.
Інші пропозиції JAN1N6170US
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
|
JAN1N6170US | Виробник : Semtech |
![]() |
товару немає в наявності |
|
|
JAN1N6170US | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |