JAN2N1479
Виробник:
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN2N1479
Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO-5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 20mA, 200mA, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 4V, Supplier Device Package: TO-5, Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-S-19500/207.
Інші пропозиції JAN2N1479
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN2N1479 | Виробник : Microsemi |
 Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag |
товару немає в наявності |
||
| JAN2N1479 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO-5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 20mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 4V Supplier Device Package: TO-5 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-S-19500/207 |
товару немає в наявності |
||
| JAN2N1479 | Виробник : Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |