JAN2N1613 MOTOROLA


123516-lds-0200-datasheet Виробник: MOTOROLA

на замовлення 215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JAN2N1613 MOTOROLA

Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 800 mW, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/181.

Інші пропозиції JAN2N1613

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
JAN2N1613 JAN2N1613 Виробник : Microchip Technology 123516-lds-0200-datasheet Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/181
товар відсутній
JAN2N1613 Виробник : Microchip / Microsemi msco_s_a0001037596_1-2275392.pdf Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній