JAN2N1711 Microchip / Microsemi


2N1711-1593190.pdf Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 100 шт:

термін постачання 175-184 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4218.42 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JAN2N1711 Microchip / Microsemi

Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-5, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 800 mW, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/225.

Інші пропозиції JAN2N1711

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
JAN2N1711 Виробник : MOTOROLA
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JAN2N1711 Виробник : Microchip Technology Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/225
товар відсутній