Jan2N2060L Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS 2NPN 60V 500MA TO-78-6
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/270
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-78-6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Power - Max: 2.12W
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Jan2N2060L Microchip Technology
Description: TRANS 2NPN 60V 500MA TO-78-6, Packaging: Bulk, Qualification: MIL-PRF-19500/270, Grade: Military, Supplier Device Package: TO-78-6, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Power - Max: 2.12W, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: 2 NPN (Dual), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-78-6 Metal Can.
Інші пропозиції Jan2N2060L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| Jan2N2060L | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT 60V 500mA 600mW NPN Long-Lead Dual Small-Signal BJT THT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N2060L |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 60V 500mA 600mW NPN Long-Lead Dual Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 60V 500mA 600mW NPN Long-Lead Dual Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.