Jan2N2218A Microchip / Microsemi


LDS_0091-1593924.pdf Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT BJTs
на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+698.65 грн
100+640.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Jan2N2218A Microchip / Microsemi

Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Grade: Military, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 800 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/251.

Інші пропозиції Jan2N2218A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
Jan2N2218A Jan2N2218A Виробник : Microchip Technology 8917-lds-0091-datasheet Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/251
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.