JAN2N2219A

JAN2N2219A Microchip / Microsemi


LDS_0091-1593924.pdf Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+593.51 грн
100+ 559.69 грн
500+ 476.68 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JAN2N2219A Microchip / Microsemi

Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 800 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/251.

Інші пропозиції JAN2N2219A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
JAN2N2219A Виробник : MOT 8917-lds-0091-datasheet
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JAN2N2219A Виробник : MOT 8917-lds-0091-datasheet CAN
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JAN2N2219A Виробник : MOTOROLA 8917-lds-0091-datasheet SOT23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JAN2N2219A JAN2N2219A Виробник : Microchip Technology 8917-lds-0091-datasheet Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/251
товар відсутній