JAN2N2221AUA/TR Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UA
Power - Max: 650 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: MIL-PRF-19500/255
Grade: Military
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN2N2221AUA/TR Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UA, Power - Max: 650 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: UA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-SMD, No Lead, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: MIL-PRF-19500/255, Grade: Military.
Інші пропозиції JAN2N2221AUA/TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N2221AUA/TR | Microchip / Microsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT SMT TR |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N2221AUA/TR |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT SMT TR
Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT SMT TR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.