JAN2N2222AL Microchip / Microsemi
Виробник: Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Long-Lead Small-Signal BJT THT
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 596.86 грн |
| 100+ | 546.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN2N2222AL Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/255.
Інші пропозиції JAN2N2222AL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN2N2222AL | Виробник : MICROSEMI |
TO18/NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 2N2222 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
JAN2N2222AL | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/255 |
товару немає в наявності |