Технічний опис JAN2N2605 MOTOROLA
Description: TRANS PNP 60V 0.03A TO46-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: TO-46-3, Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 400 mW.
Інші пропозиції JAN2N2605
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N2605 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans GP BJT PNP 60V 0.03A 400mW 3-Pin TO-46 Bag |
товар відсутній |
|
 |
JAN2N2605 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.03A TO46-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-46-3 Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 400 mW |
товар відсутній |
|
| JAN2N2605 | Виробник : Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
товар відсутній |
||
| JAN2N2605 | Виробник : Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT BJTs |
товар відсутній |