JAN2N2880

JAN2N2880 Microchip Technology


2n2880.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59 Tray
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JAN2N2880 Microchip Technology

Description: TRANS NPN 80V 5A TO59, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V, Supplier Device Package: TO-59, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції JAN2N2880

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
JAN2N2880 Виробник : Microchip Technology 132817-lds-0327-datasheet Description: TRANS NPN 80V 5A TO59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
JAN2N2880 Виробник : Microchip / Microsemi 132817-lds-0327-datasheet Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній