Технічний опис JAN2N2905 Microchip / Microsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 800 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/290.
Інші пропозиції JAN2N2905
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
JAN2N2905 | Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO39Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/290 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
JAN2N2905 | Semicoa Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. |
|
JAN2N2905 | Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N2905 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/290
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/290
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| JAN2N2905 |
![]() |
Виробник: Semicoa Semiconductors
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
| JAN2N2905 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.





