JAN2N2905 Microchip / Microsemi
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2918.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN2N2905 Microchip / Microsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 800 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/290.
Інші пропозиції JAN2N2905
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN2N2905 | Виробник : MOTOROLA |
 |
на замовлення 35200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
JAN2N2905 | Виробник : Semicoa Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 |
товару немає в наявності |
|
 |
JAN2N2905 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|
 |
JAN2N2905 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/290 |
товару немає в наявності |