Технічний опис JAN2N2905A Semicoa Semiconductors
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/290.
Інші пропозиції JAN2N2905A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N2905A | Виробник : Microchip Technology |
 Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|
 |
JAN2N2905A | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|
 |
JAN2N2905A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Box |
товару немає в наявності |
|
| JAN2N2905A | Виробник : MICROSEMI |
TO-39/PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR 2N2905 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
JAN2N2905A | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/290 |
товару немає в наявності |
|
 |
JAN2N2905A | Виробник : Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT |
товару немає в наявності |