JAN2N2905A

JAN2N2905A Microchip / Microsemi


LDS_0186_2N2904_05_A_-3442363.pdf Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
на замовлення 100 шт:

термін постачання 329-338 дні (днів)
Кількість Ціна
1+850.84 грн
10+837.85 грн
25+690.11 грн
100+661.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JAN2N2905A Microchip / Microsemi

Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/290.

Інші пропозиції JAN2N2905A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
JAN2N2905A JAN2N2905A Виробник : Semicoa Semiconductors 2n2905a-r.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2905A JAN2N2905A Виробник : Microchip Technology 116125482-lds-0186-1.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2905A JAN2N2905A Виробник : Microchip Technology lds-0186.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2905A JAN2N2905A Виробник : ON Semiconductor 2n2905a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2905A Виробник : MICROSEMI 122694-lds-0186-datasheet TO-39/PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR 2N2905
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2905A JAN2N2905A Виробник : Microchip Technology 122694-lds-0186-datasheet Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/290
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.