Продукція > MICROCHIP / MICROSEMI > JAN2N2905A

JAN2N2905A Microchip / Microsemi

Name: JAN2N2905A
Brand: Microchip / Microsemi
SKU: 5041317-4
Price: 987.23 UAH
Availability: InStock

Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT

на замовлення 295 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	987.23 грн
10+	955.27 грн
25+	808.94 грн
100+	670.75 грн
250+	654.45 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис JAN2N2905A Microchip / Microsemi

Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/290.

Інші пропозиції JAN2N2905A

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
JAN2N2905A	Виробник : Semicoa Semiconductors	Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
JAN2N2905A	Виробник : Microchip Technology	Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
JAN2N2905A	Виробник : Microchip Technology	Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
JAN2N2905A	Виробник : ON Semiconductor	Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Box	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
JAN2N2905A	Виробник : MICROSEMI	TO-39/PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR 2N2905 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
JAN2N2905A	Виробник : Microchip Technology	Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/290	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.