Продукція > MICROSEMI > JAN2N2907AL

JAN2N2907AL MICROSEMI

MIL-PRF-19500_291Y_wAmendment1_7-10-19.pdf
Виробник: MICROSEMI
TO18/PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR 2N2907
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JAN2N2907AL MICROSEMI

Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/291.

Інші пропозиції JAN2N2907AL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JAN2N2907AL Microchip Technology MIL-PRF-19500_291Y_wAmendment1_7-10-19.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/291
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2907AL Microchip / Microsemi LDS_0059-1593948.pdf Bipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2907AL MIL-PRF-19500_291Y_wAmendment1_7-10-19.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/291
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2907AL LDS_0059-1593948.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.