JAN2N2907AUB Microchip / Microsemi
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 429.64 грн |
| 100+ | 393.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN2N2907AUB Microchip / Microsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB, Packaging: Tray, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/291.
Інші пропозиції JAN2N2907AUB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N2907AUB | Виробник : Microchip Technology |
 Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UB Waffle |
товар відсутній |
|
| JAN2N2907AUB | Виробник : MICROSEMI |
UB/PNP TRANSISTOR 2N2907 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
JAN2N2907AUB | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Tray Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 |
товар відсутній |