Технічний опис JAN2N3019A MOTOROLA
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5AA, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-5AA, Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 800 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/391.
Інші пропозиції JAN2N3019A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N3019A | Microchip Technology |
 Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5AAPackaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/391 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3019A | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3019A | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 800mW Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Power dissipation: 0.8W Mounting: THT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3019A |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/391
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/391
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| JAN2N3019A |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| JAN2N3019A |
|
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 800mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 0.8W
Mounting: THT
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 800mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 0.8W
Mounting: THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику
од. на суму грн.