JAN2N3019S Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/391
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1135.38 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN2N3019S Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 800 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/391.
Інші пропозиції JAN2N3019S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN2N3019S | Microchip / Microsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3019S |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)