JAN2N3250A Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.2A TO39
Qualification: MIL-PRF-19500/323
Grade: Military
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN2N3250A Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.2A TO39, Qualification: MIL-PRF-19500/323, Grade: Military, Power - Max: 360 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції JAN2N3250A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN2N3250A | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT BJTs |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3250A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT BJTs
Bipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.

