Jan2N3420S Microchip Technology


124287-lds-0192-1-datasheet
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 60V 3A TO39
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Jan2N3420S Microchip Technology

Description: TRANS NPN 60V 3A TO39, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції Jan2N3420S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
Jan2N3420S Microsemi 124287-lds-0192-1-datasheet Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N3420S 124287-lds-0192-1-datasheet
Виробник: Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.