Jan2N3420S Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 60V 3A TO39
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Jan2N3420S Microchip Technology
Description: TRANS NPN 60V 3A TO39, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції Jan2N3420S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| Jan2N3420S | Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N3420S |
![]() |
Виробник: Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.

