JAN2N3439

JAN2N3439 Microchip / Microsemi


LDS_0022-1593725.pdf Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 350 V Power BJT
на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+947.9 грн
25+ 933.59 грн
100+ 755.07 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JAN2N3439 Microchip / Microsemi

Description: TRANS NPN 350V 1A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 2µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції JAN2N3439

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
JAN2N3439 Виробник : MOT 8830-lds-0022-datasheet
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JAN2N3439 JAN2N3439 Виробник : Microchip Technology 8830-lds-0022-datasheet Description: TRANS NPN 350V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній