JAN2N3439 Microchip / Microsemi


LDS-0022_2N3439-40.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT THT
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+904.86 грн
100+828.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JAN2N3439 Microchip / Microsemi

Description: TRANS NPN 350V 1A TO39, Qualification: MIL-PRF-19500/368, Grade: Military, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 2µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції JAN2N3439

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JAN2N3439 MOT 8830-lds-0022-datasheet
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N3439 8830-lds-0022-datasheet
Виробник: MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.