JAN2N3439L Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 350V 1A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN2N3439L Microchip Technology
Description: TRANS NPN 350V 1A TO-5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 2µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V, Supplier Device Package: TO-5, Grade: Military, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 800 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/368.
Інші пропозиції JAN2N3439L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N3439L | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Long-Lead Power BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3439L | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 1A; 800mW Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 1A Mounting: THT Power dissipation: 0.8W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3439L |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Long-Lead Power BJT
Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Long-Lead Power BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| JAN2N3439L |
|
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 1A; 800mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 1A
Mounting: THT
Power dissipation: 0.8W
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 1A; 800mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 1A
Mounting: THT
Power dissipation: 0.8W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику
од. на суму грн.