Jan2N3485A Microchip Technology


6045-2n3485a-datasheet
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO46
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-46
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/392
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Jan2N3485A Microchip Technology

Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO46, Power - Max: 400 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Grade: Military, Supplier Device Package: TO-46, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can, Packaging: Bulk, Qualification: MIL-PRF-19500/392.

Інші пропозиції Jan2N3485A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
Jan2N3485A Microsemi 2n3485a.pdf Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N3485A 2n3485a.pdf
Виробник: Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.