Продукція > MICROSEMI > JAN2N3501UB

JAN2N3501UB MICROSEMI

Виробник: MICROSEMI
UB/NPN Transistor 2N3501
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис JAN2N3501UB MICROSEMI

Description: TRANS NPN 150V 0.3A UB, Qualification: MIL-PRF-19500/366, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Grade: Military, Supplier Device Package: UB, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції JAN2N3501UB

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
JAN2N3501UB	Microchip Technology	Description: TRANS NPN 150V 0.3A UB Qualification: MIL-PRF-19500/366 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Grade: Military Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.
JAN2N3501UB	Microchip / Microsemi	Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.
JAN2N3501UB	Microchip Technology	Bipolar Transistors - BJT BJTs	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

JAN2N3501UB

Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 150V 0.3A UB
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Grade: Military
Supplier Device Package: UB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

JAN2N3501UB

Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

JAN2N3501UB

Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT BJTs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.