JAN2N3507 Microchip / Microsemi
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 979.04 грн |
| 100+ | 896.55 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN2N3507 Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN 50V 3A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/349.
Інші пропозиції JAN2N3507
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN2N3507 | Microchip Technology |
 Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
на замовлення 80 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3507 |
|
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 80 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)