Продукція > MOTOROLA > JAN2N3636

JAN2N3636 MOTOROLA

8968-lds-0156-datasheet
Виробник: MOTOROLA

на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JAN2N3636 MOTOROLA

Description: TRANS PNP 175V 1A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/357.

Інші пропозиції JAN2N3636

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
JAN2N3636 JAN2N3636 Microchip Technology 8968-lds-0156-datasheet Description: TRANS PNP 175V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N3636 Microchip / Microsemi 2N3634_2N3637UB_LDS_0156_MIL_PRF_19500_357-3500071.pdf Bipolar Transistors - BJT 175 V Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N3636 8968-lds-0156-datasheet
JAN2N3636
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 175V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N3636 2N3634_2N3637UB_LDS_0156_MIL_PRF_19500_357-3500071.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 175 V Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.