Продукція > MOTOROLA > JAN2N3637

JAN2N3637 MOTOROLA

2N3634-2N3637UB-LDS-0156-MIL-PRF-19500-357.pdf
Виробник: MOTOROLA

на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JAN2N3637 MOTOROLA

Description: TRANS PNP 175V 1A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/357.

Інші пропозиції JAN2N3637

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
JAN2N3637 Microchip / Microsemi 2N3634_2N3637UB_LDS_0156_MIL_PRF_19500_357.pdf Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Small-Signal BJT THT
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N3637 2N3634_2N3637UB_LDS_0156_MIL_PRF_19500_357.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Small-Signal BJT THT
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.