JAN2N3700 Microchip / Microsemi
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 328.73 грн |
| 10+ | 323.19 грн |
| 100+ | 267.05 грн |
| 250+ | 261.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN2N3700 Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V, Supplier Device Package: TO-18, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 500 mW, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/391.
Інші пропозиції JAN2N3700
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN2N3700 | Виробник : MOTOROLA |
 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
JAN2N3700 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/391 |
товару немає в наявності |