Продукція > MICROSEMI > JAN2N3767

JAN2N3767 Microsemi

6054-2n3766-pdf
Виробник: Microsemi

на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JAN2N3767 Microsemi

Description: TRANS NPN 80V 4A TO66, Qualification: MIL-PRF-19500/518, Grade: Military, Power - Max: 25 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції JAN2N3767

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JAN2N3767 Microchip Technology 6054-2n3766-pdf Description: TRANS NPN 80V 4A TO66
Qualification: MIL-PRF-19500/518
Grade: Military
Power - Max: 25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N3767 Microchip / Microsemi 2N3766_2N3767_2b_MIL_PRF_19500_518-3499926.pdf Bipolar Transistors - BJT 80V 4A NPN Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N3767 6054-2n3766-pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 4A TO66
Qualification: MIL-PRF-19500/518
Grade: Military
Power - Max: 25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N3767 2N3766_2N3767_2b_MIL_PRF_19500_518-3499926.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 80V 4A NPN Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.