JAN2N3838 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-FlatPack
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-FlatPack
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN2N3838 Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-FlatPack, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Current - Collector (Ic) (Max): 600mA, Power - Max: 350mW, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-FlatPack, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції JAN2N3838
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN2N3838 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3838 |
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT BJTs
Bipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.