JAN2N4449UB Microchip Technology



Виробник: Microchip Technology
Description: SMALL-SIGNAL BJT
Qualification: MIL-PRF-19500/317
Grade: Military
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Supplier Device Package: UB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JAN2N4449UB Microchip Technology

Description: SMALL-SIGNAL BJT, Qualification: MIL-PRF-19500/317, Grade: Military, Current - Collector Cutoff (Max): 400nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Packaging: Bulk, Power - Max: 400 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Supplier Device Package: UB, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V.

Інші пропозиції JAN2N4449UB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JAN2N4449UB Microchip / Microsemi 2N2369A-3224187.pdf Bipolar Transistors - BJT 15V 600MW NPN Round-End Small-Signal BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N4449UB 2N2369A-3224187.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 15V 600MW NPN Round-End Small-Signal BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.