JAN2N5667
Виробник:
на замовлення 367 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN2N5667
Description: TRANS NPN 300V 5A TO-5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 200nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V, Supplier Device Package: TO-5, Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 1.2 W, Qualification: MIL-PRF-19500/455.
Інші пропозиції JAN2N5667
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN2N5667 | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT 300V 5A 1.2W NPN Power BJT THT |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N5667 |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 300V 5A 1.2W NPN Power BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 300V 5A 1.2W NPN Power BJT THT
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)