JAN2N5671
Виробник:
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN2N5671
Description: TRANS NPN 90V 30A TO3, Power - Max: 6 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 10mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції JAN2N5671
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN2N5671 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 90V 30A TO3 Power - Max: 6 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
JAN2N5671 | Microchip / Microsemi |
 Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N5671 |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 90V 30A TO3
Power - Max: 6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 90V 30A TO3
Power - Max: 6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| JAN2N5671 |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.