Технічний опис JAN2N5682 MOTOROLA
Description: TRANS NPN 120V 1A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/583.
Інші пропозиції JAN2N5682
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N5682 | Microchip Technology |
 Description: TRANS NPN 120V 1A TO39Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/583 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N5682 | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N5682 |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 120V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/583
Description: TRANS NPN 120V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/583
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| JAN2N5682 |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.