Jan2N6032 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 90V 50A TO3
Qualification: MIL-PRF-19500/528
Power - Max: 140 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50A, 2.6V
Current - Collector Cutoff (Max): 25mA (ICBO)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TA)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Jan2N6032 Microchip Technology
Description: TRANS NPN 90V 50A TO3, Qualification: MIL-PRF-19500/528, Power - Max: 140 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Grade: Military, Supplier Device Package: TO-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50A, 2.6V, Current - Collector Cutoff (Max): 25mA (ICBO), Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TA), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції Jan2N6032
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
Jan2N6032 | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT 90V NPN Power BJT THT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N6032 |
![]() |
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 90V NPN Power BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 90V NPN Power BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.




