Продукція > MOTOROLA > JAN2N6052

JAN2N6052 MOTOROLA

132511-lds-0306-datasheet
Виробник: MOTOROLA

на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JAN2N6052 MOTOROLA

Description: TRANS PNP DARL 100V 12A TO3, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3, Packaging: Bulk, Power - Max: 150 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Transistor Type: PNP - Darlington, Qualification: MIL-PRF-19500/501, Grade: Military.

Інші пропозиції JAN2N6052

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JAN2N6052 Microchip Technology 132511-lds-0306-datasheet Description: TRANS PNP DARL 100V 12A TO3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Qualification: MIL-PRF-19500/501
Grade: Military
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6052 Microchip / Microsemi LDS-0306_2N6051-52.pdf Darlington Transistors Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6052 132511-lds-0306-datasheet
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP DARL 100V 12A TO3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Qualification: MIL-PRF-19500/501
Grade: Military
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6052 LDS-0306_2N6051-52.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Darlington Transistors Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.