Продукція > JAN > JAN2N6300

JAN2N6300


77283-lds-0171-datasheet Виробник:

на замовлення 48 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JAN2N6300

Description: TRANS NPN DARL 60V 8A TO66, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 75 W, Qualification: MIL-PRF-19500/539.

Інші пропозиції JAN2N6300

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
JAN2N6300 Виробник : Microchip Technology 77283-lds-0171-datasheet Description: TRANS NPN DARL 60V 8A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Qualification: MIL-PRF-19500/539
товар відсутній
JAN2N6300 Виробник : Microsemi 77283-lds-0171-datasheet Darlington Transistors Power BJT
товар відсутній