Jan2N6987 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116
Qualification: MIL-PRF-19500/558
Grade: Military
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Power - Max: 1.5W
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: 4 PNP (Quad)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Jan2N6987 Microchip Technology
Description: TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116, Qualification: MIL-PRF-19500/558, Grade: Military, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Current - Collector (Ic) (Max): 600mA, Power - Max: 1.5W, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: 4 PNP (Quad), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm), Packaging: Bulk.
Інші пропозиції Jan2N6987
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| Jan2N6987 | Microchip / Microsemi |
MOSFET BJTs |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N6987 |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
MOSFET BJTs
MOSFET BJTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.