Jan2N6987U Microchip Technology



Виробник: Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR
Qualification: MIL-PRF-19500/558
Grade: Military
Supplier Device Package: 6-SMD
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Power - Max: 1W
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: 4 PNP (Quad)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Jan2N6987U Microchip Technology

Description: NPN TRANSISTOR, Qualification: MIL-PRF-19500/558, Grade: Military, Supplier Device Package: 6-SMD, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Current - Collector (Ic) (Max): 600mA, Power - Max: 1W, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: 4 PNP (Quad), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-SMD, No Lead, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції Jan2N6987U

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
Jan2N6987U Microchip / Microsemi msco_s_a0001039296_1-2275726.pdf MOSFET BJTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N6987U msco_s_a0001039296_1-2275726.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
MOSFET BJTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.