Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > Jan2N6989

Jan2N6989 Microchip Technology

77286-lds-0177-datasheet
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116
Supplier Device Package: TO-116
Qualification: MIL-PRF-19500/559
Grade: Military
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 800mA
Power - Max: 1.5W
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: 4 NPN (Quad)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Jan2N6989 Microchip Technology

Description: TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116, Supplier Device Package: TO-116, Qualification: MIL-PRF-19500/559, Grade: Military, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 800mA, Power - Max: 1.5W, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: 4 NPN (Quad), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm), Packaging: Bulk.

Інші пропозиції Jan2N6989

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
Jan2N6989 Jan2N6989 Microchip / Microsemi 2N6989_2N6990_LDS_0177_MIL_PRF_19500_559-3499729.pdf MOSFETs 50V 800mA 1.5W NPN Quad - Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N6989 2N6989_2N6990_LDS_0177_MIL_PRF_19500_559-3499729.pdf
Jan2N6989
Виробник: Microchip / Microsemi
MOSFETs 50V 800mA 1.5W NPN Quad - Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.