JAN2N718A Microchip / Microsemi


2N718A_2N1613_LDS_0200_MIL_PRF_19500_181.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 30V 500mA 500mW NPN Power BJT THT
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2283.85 грн
100+2090.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JAN2N718A Microchip / Microsemi

Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO-18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 500 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/181.

Інші пропозиції JAN2N718A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JAN2N718A MOT 123516-lds-0200-datasheet
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N718A 123516-lds-0200-datasheet
Виробник: MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.