JAN2N930

JAN2N930 Microchip / Microsemi


2N930-2886092.pdf Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT BJTs
на замовлення 101 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+799.76 грн
100+732.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JAN2N930 Microchip / Microsemi

Description: TRANS NPN 45V 0.03A TO-18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 2nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V, Supplier Device Package: TO-18, Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 300 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/253.

Інші пропозиції JAN2N930

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
JAN2N930 Виробник : MOT 6146-2n930-datasheet
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N930 JAN2N930 Виробник : Microchip Technology 6146-2n930-datasheet Description: TRANS NPN 45V 0.03A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V
Supplier Device Package: TO-18
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/253
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.