JANHCE1N5809 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 100V 3A DIE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Die
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANHCE1N5809 Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 100V 3A DIE, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: Die, Current - Average Rectified (Io): 3A, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: Die, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції JANHCE1N5809
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JANHCE1N5809 | Microchip / Microsemi |
Rectifiers UFR,FRR |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| JANHCE1N5809 |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
Rectifiers UFR,FRR
Rectifiers UFR,FRR
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.