JANKCB2N3439 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 350V 1A TO39
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Grade: Military
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tape & Reel (TR)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANKCB2N3439 Microchip Technology
Description: TRANS NPN 350V 1A TO39, Qualification: MIL-PRF-19500/368, Grade: Military, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Tape & Reel (TR), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 2µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD).
Інші пропозиції JANKCB2N3439
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JANKCB2N3439 | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCB2N3439 |
![]() |
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.

