Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > JANKCB2N5415

JANKCB2N5415 Microchip Technology


Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 200V 1A TO-5
Qualification: MIL-PRF-19500/485
Power - Max: 750 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANKCB2N5415 Microchip Technology

Description: TRANS PNP 200V 1A TO-5, Qualification: MIL-PRF-19500/485, Power - Max: 750 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Grade: Military, Supplier Device Package: TO-5, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції JANKCB2N5415

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JANKCB2N5415 Microchip / Microsemi 2N5415_2N5416_LDS_0305_MIL_PRF_19500_485-3500123.pdf Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANKCB2N5415 2N5415_2N5416_LDS_0305_MIL_PRF_19500_485-3500123.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.