JANS1N3595US Microchip / Microsemi
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4135.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANS1N3595US Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 200MA B SQ-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 3 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 nA @ 125 V, Grade: Military, Qualification: MIL-S-19500-241.
Інші пропозиції JANS1N3595US за ціною від 6208.96 грн до 6208.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
JANS1N3595US | Виробник : Microchip Technology |
 Description: DIODE GEN PURP 200MA B SQ-MELFPackaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 nA @ 125 V Grade: Military Qualification: MIL-S-19500-241 |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|