на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4297.81 грн |
| 100+ | 3934.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANS1N5420 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 400 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/411.
Інші пропозиції JANS1N5420
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JANS1N5420 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/411 |
товару немає в наявності |