JANS1N5552 Microchip / Microsemi


LDS-0230,+1N5550+thru+1N5554,+MIL-PRF-19500-420.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Rectifiers 660V 3A Std Rectifier THT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6378.26 грн
10+6072.06 грн
25+5151.32 грн
100+5040.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANS1N5552 Microchip / Microsemi

Description: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V, Qualification: MIL-PRF-19500/420.

Інші пропозиції JANS1N5552

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
JANS1N5552 JANS1N5552 Microchip Technology 11519-lds-0230-datasheet Description: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: MIL-PRF-19500/420
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS1N5552 MICROCHIP TECHNOLOGY 11519-lds-0230-datasheet Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 5A; Ifsm: 100A; Ufmax: 1.2V; Ir: 1uA; 2us
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 5A
Max. load current: 5A
Leakage current: 1µA
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 2µs
Max. forward impulse current: 100A
Max. forward voltage: 1.2V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS1N5552 11519-lds-0230-datasheet
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: MIL-PRF-19500/420
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS1N5552 11519-lds-0230-datasheet
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 5A; Ifsm: 100A; Ufmax: 1.2V; Ir: 1uA; 2us
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 5A
Max. load current: 5A
Leakage current: 1µA
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 2µs
Max. forward impulse current: 100A
Max. forward voltage: 1.2V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.